RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3271
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link