Comparaison de la RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

33 37

Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.6 16

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 19200

Autour de 1.33% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 12.0

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2910 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns