RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
45
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
24
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
20.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
4029
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link