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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
73
Autour de 49% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
73
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
1843
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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