RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
3344
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link