RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
65
Autour de -210% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
21
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
4230
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link