RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Comparez
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Note globale
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Note globale
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
68
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,944.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,973.0
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,944.9
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
673
2804
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link