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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
50
Autour de -52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2664
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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