RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
87
Autour de -149% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3423
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link