RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
71
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
32
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3379
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link