RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
59
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
46
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2368
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link