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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
26
Velocità di lettura, GB/s
15.0
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3723
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
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