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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno -22% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
27
Velocità di lettura, GB/s
17.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2148
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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