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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
27
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2426
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
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