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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
37
周辺 32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
37
読み出し速度、GB/s
16.1
16.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2808
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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