RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
74
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1825
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link