RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
37
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
3192
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link