RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
3636
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link