RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
3199
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link