RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2806
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link