RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
40
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2965
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link