RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
64
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
47
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
2323
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link