RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
4202
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link