RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
48
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2366
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link