RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
94
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
34
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
12.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2584
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link