RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
74
Por volta de 64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
74
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
1825
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link