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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
65
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
2,451.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
41
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
9.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2302
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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