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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,384.7
1,871.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
52
Por volta de -6% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
52
49
Velocidade de leitura, GB/s
5,635.1
4,345.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,384.7
1,871.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1037
649
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
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