RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3728
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link