RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4006
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link