RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3555
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link