RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 8 13 18 23 29 34 35 36 37 38
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2996
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link