RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
37
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2102
3075
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1066 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link