RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 71
    Около -129% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.4 left arrow 1,322.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    71 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,831.6 left arrow 12.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,322.6 left arrow 9.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    399 left arrow 2361

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
модули RAM
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
модули RAM