RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2121
2676
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB Сравнения RAM
AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link