RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
43
Около -23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
10.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2327
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link