RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против INTENSO 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
INTENSO 4GB

INTENSO 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
INTENSO 4GB Причины выбрать
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 73
    Около -103% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.3 left arrow 1,423.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    73 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,510.5 left arrow 12.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,423.3 left arrow 9.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    476 left arrow 2061

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

INTENSO 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
модули RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451U6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8A-PB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
модули RAM