RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3188
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link