Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 45

Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.9 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.8 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 22
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 17.9
Скорость записи, Гб/сек

7.8 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 3297

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9965662-018.A00G 32GB

Kingston 9965662-018.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB

модули RAM