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AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
67
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
36
读取速度,GB/s
6.8
13.5
写入速度,GB/s
3.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2381
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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