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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
37
读取速度,GB/s
16.8
13.5
写入速度,GB/s
11.3
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2026
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
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