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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
13.3
15.3
写入速度,GB/s
8.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2960
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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