RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
56
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
2666
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link