RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
15.6
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3693
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1PS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link