RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
52
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
4200
Rund um 6.1 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
4200
25600
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2974
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link