RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
3009
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link