RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
2333
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link