RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
26
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
3124
AMD R538G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link