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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Vergleichen Sie
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Gesamtnote
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
2154
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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