RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.7
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
17.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
4048
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link